Gorbachov, Vladimir Vasilievich (físico)
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| Fecha de nacimiento | 5 de octubre de 1933 (89 años) |
| Esfera científica | física de semiconductores |
| Titulo academico | Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas |
| Premios y premios |
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Vladimir Vasilievich Gorbachev es un científico soviético y ruso en el campo de la física de semiconductores, Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas, Profesor, Científico Honorario de la Federación Rusa (1996).
Biografía
Nacido el 05/10/1933 en Podolsk (región de Moscú).
Se graduó en la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Moscú (1957) y realizó estudios de posgrado en el Instituto de Ingeniería Física de Moscú (1966), con la defensa de su disertación “Investigación de la interacción de fuerzas de los átomos en redes de cobre y níquel por el método de inelástico dispersión coherente de neutrones térmicos” [1] ).
Actividad laboral:
- 1958-1961 jefe del servicio de seguridad radiológica del rompehielos atómico "Lenin".
- 1966-1986 asistente, profesor asociado, jefe. Departamento de Física de Semiconductores y Electrónica de Semiconductores MISiS .
- 1986-1988 Jefe del Laboratorio Central de Investigación Gemológica de Gokhran.
- desde 1988 jefe del departamento de física de la Universidad Estatal de Artes de Impresión de Moscú .
Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas, Profesor, Trabajador de Ciencias de Honor de la Federación Rusa (1996).
Composiciones:
- Física de semiconductores y metales. - Moscú, 1976.
- Compuestos semiconductores AI2BVI / VV Gorbachev. - M .: Metalurgia, 1980. - 132 p. : grafico.; 21cm
- Física de semiconductores y metales [Texto]: [Libro de texto. manual para colegios técnicos] / V. V. Gorbachev, L. G. Spitsyna. - Moscú: Metalurgia, 1976. - 368 p. : enfermo.; 22cm
- Física de semiconductores y metales [Texto]: [libro de texto para universidades en la especialidad "Tecnología espec. materiales de tecnología electrónica”] / V. V. Gorbachev, L. G. Spitsyna. - 2ª ed., revisada. y adicional - Moscú: Metalurgia, 1982. - 336 p. : enfermo.; 22cm
- Propiedades físicas de algunos materiales utilizados en tecnología de semiconductores [Texto]: Proc. manual para ejercicios y seminarios / V. V. Gorbachev, A. S. Okhotin; Moscú Instituto de Aceros y Aleaciones, Departamento de Electrónica de Semiconductores y Física de Semiconductores. - Moscú: MISIS, 1975. - 208 p. : grafico.; 21cm
- Fundamentos físicos de la tecnología de semiconductores y su aplicación en la impresión: Proc. manual para estudiantes de universidades que estudian en las especialidades 281400, 170800, 210100 / V. V. Gorbachev, T. M. Tkacheva, S. P. Vartanyan; M-total y profe educación ros. Federación. Moscú estado no imprimiendo. - M. : Editorial de MGUP, 1999. - 174 p. : il., tab.; 20 centímetros; ISBN 5-8122-0039-4
- Propiedades termofísicas de los semiconductores [Texto] / A. S. Okhotin, A. S. Pushkarsky, V. V. Gorbachev. - Moscú: Atomizdat, 1972. - 200 p. : tonterías.; 22cm
Notas
- ↑ Gorbachov, Vladimir Vasilievich. Estudio de la interacción de fuerzas de los átomos en las redes de cobre y níquel por el método de dispersión coherente inelástica de neutrones térmicos (Texto): Resumen de la tesis. para el grado de candidato de ciencias físicas y matemáticas . Correo electrónico catálogo LSR . Consultado el 20 de julio de 2020. Archivado desde el original el 20 de julio de 2020.