Viktor Grigorievich Lifshits | |||
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Fecha de nacimiento | 21 de julio de 1941 | ||
Fecha de muerte | 20 de julio de 2005 (63 años) | ||
País |
URSS Rusia |
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Esfera científica | física de la Materia Condensada | ||
Lugar de trabajo | |||
alma mater | Universidad de Járkov | ||
Título académico | miembro correspondiente de la Academia Rusa de Ciencias | ||
Premios y premios |
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Victor Grigoryevich Lifshits (1941-2005) - Científico ruso en el campo de la física de la materia condensada , miembro correspondiente de la Academia Rusa de Ciencias (1997)
Nacido el 21 de julio de 1941 en Járkov. Graduado de la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Kharkov (1963).
Trabajó en Kazajstán en el Instituto de Física Nuclear. En 1973 defendió su tesis doctoral.
En 1975, por invitación de Philip Georgievich Staros , se trasladó a Vladivostok al laboratorio de crecimiento controlado de microestructuras del Instituto de Procesos de Automatización y Control, Rama del Lejano Oriente de la Academia Rusa de Ciencias. Trabajó como investigador principal laboratorio, director del instituto (hasta 1997).
Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas (1987), Profesor (1989).
Desde 1991 - Decano de la Facultad de Física y Tecnología del Instituto de Física y Tecnología de la Información (IFIT) de la Universidad Estatal del Lejano Oriente (FEGU); jefe de departamento FTMPM IFIT FENU.
Miembro Correspondiente de la Academia Rusa de Ciencias en el Departamento de Física General y Astronomía, con especialización en Física del Estado Sólido (30/05/1997).
Laureado del Premio Estatal de la Federación de Rusia en el campo de la ciencia y la tecnología ("Procesos electrónicos y atómicos en la superficie de los sólidos" - 2002). Trabajador de Honor de la Ciencia de la Federación Rusa (1996).
Desde 2002, Secretario Científico Jefe del Presidium de la Rama del Lejano Oriente de la Academia Rusa de Ciencias.
Murió repentinamente el 20 de julio de 2005 en Vladivostok.
El autor de una nueva dirección en la física de superficies de semiconductores: "La relación entre los procesos en la superficie del silicio y la formación de fases superficiales: un nuevo material semiconductor bidimensional".
Junto con los empleados, recibió más de 20 nuevas fases de superficie, desarrolló los principios para el crecimiento de microestructuras multicapa con fases de superficie integradas.
Autor de más de 200 artículos científicos, 5 monografías y un libro de texto para universidades. Libros:
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