Arseniuro de indio
| arseniuro de indio | |
|---|---|
| General | |
| química fórmula | en como |
| Propiedades físicas | |
| Masa molar | 189,74 g/ mol |
| Densidad | 5,68 g/cm³ |
| Propiedades termales | |
| La temperatura | |
| • fusión | 942°C |
| Estructura | |
| Estructura cristalina |
estructura cúbica de esfalerita a = 0,60584nm |
| Clasificación | |
| registro número CAS | 1303-11-3 |
| PubChem | 91500 |
| registro Número EINECS | 215-115-3 |
| SONRISAS | [Como en] |
| InChI | InChI=1S/As.InRPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N |
| ChemSpider | 82621 |
| La seguridad | |
| NFPA 704 |
0
cuatro
0 |
| Los datos se basan en condiciones estándar (25 °C, 100 kPa) a menos que se indique lo contrario. | |
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El arseniuro de indio es un compuesto inorgánico binario de indio y arsénico . Fórmula química del compuesto InAs.
Cristaliza en una estructura tipo esfalerita .
Es un semiconductor de hueco directo , perteneciente al grupo de semiconductores A III B V. A 300 K , tiene una banda prohibida de alrededor de 0,35 eV .
Se utiliza para la fabricación de transistores de microondas . Además, LED y fotodiodos , que operan en la región infrarroja de la radiación electromagnética , sensores Hall de campo magnético , para organizar conjuntos de puntos cuánticos en algunos dispositivos semiconductores.
Debido a la baja banda prohibida, la mayoría de los dispositivos semiconductores fabricados con este material funcionan solo a temperaturas criogénicas o muy bajas.