Vorobyov, Leonid Evgenievich
| Leonid Evgenievich Vorobyov | |
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| Fecha de nacimiento | 8 de junio de 1939 (83 años) |
| Lugar de nacimiento | Leningrado |
| Premios y premios |
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Leonid Evgenievich Vorobyov es un físico ruso, Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas, Profesor, laureado con el Premio Estatal de la URSS (1987).
Nació el 8 de junio de 1939 en Leningrado.
Se graduó de la escuela (1956, con medalla de oro), el Instituto Politécnico de Leningrado, la Facultad de Radioelectrónica con una licenciatura en Dieléctricos y Semiconductores (1962, con honores) y estudios de posgrado en el LPI en el Departamento de Física de Semiconductores (1965) . En 1967 defendió su tesis doctoral y en 1975 su tesis doctoral.
Asistente, Profesor Titular, Profesor Asociado, desde 1977 profesor de los departamentos "Física de semiconductores y nanoelectrónica" y "Física y tecnología de nanoestructuras" LPI (Universidad Politécnica de San Petersburgo).
Intereses científicos: fenómenos ópticos y portadores de carga fuera del equilibrio en semiconductores y nanoestructuras, física de láseres semiconductores, optoelectrónica, nanoelectrónica.
Fundador de una escuela científica en el campo de la física de portadores de carga caliente en semiconductores y nanoheteroestructuras
Laureado del Premio Estatal de la URSS (1987), Científico de Honor de la Federación Rusa (1999), Trabajador Honorario de la Educación Profesional Superior de la Federación Rusa (2003).
El Premio A.F. Ioffe de Física y Astronomía se otorgó en 2011 por estudios de fenómenos ópticos en semiconductores y nanoestructuras, cuyos resultados representan una contribución científica destacada en el campo de la física de semiconductores, las nanoestructuras de semiconductores, la optoelectrónica y la nanoelectrónica.
Composiciones:
- Vorobyov L. E., Ivchenko E. L., Firsov D. A., Shalygin V. A. "Propiedades ópticas de nanoestructuras". "Ciencia", San Petersburgo, 2001. Proc. manual editado por E. L. Ivchenko y L. E. Vorobyov, 188 p.
- A.Kastalsky, LEVorobjev, DAFirsov, VLZerova, E.Towe, "Un láser de inyección de dos colores basado en transiciones de portadores intra e interbanda en pozos cuánticos semiconductores o puntos cuánticos", IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 37, núm. 10, págs. 1356-1362 (2001).
- L. E. Vorobyov, D. V. Donetskii, D. A. Firsov, “Photon arrastration by hole current in germanium”, Nauka, JETP Letters, volumen 71, c. 8 de abril, 25, pág. 477-480 (2000).
- Vorobyov L. E., Danilov S. N., Ivchenko E. L., Levinshtein M. E., Firsov D. A., Shalygin V. A., "Fenómenos cinéticos y ópticos en campos eléctricos fuertes en semiconductores y nanoestructuras", "Ciencia", San Petersburgo, 2000. Proc. manual editado por L. E. Vorobyov.
- L. E. Vorobyov, S. N. Danilov, G. G. Zegrya, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, I. N. Yassievich, E. V. Beregulin, “Fenómenos fotoeléctricos en semiconductores y cuantificación dimensional estructuras”, “Ciencia”, San Petersburgo, 2001. Proc. manual editado por L. E. Vorobyov.
Fuentes
- Ingenieros de San Petersburgo. Arkady Melua, 1996. - Página 164.
- http://www.spbrc.nw.ru/ru/about/prize/prize_spbrc/574
- https://www.spbstu.ru/media/news/studencheskaya_zhizn/naukograd-leonid-evgenevich-vorobev/
- Rusia - 2000: historia política moderna (1985-1999). A. y Podberezkin 2000