| Roberto Denard | |
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| Roberto H Denard | |
| Fecha de nacimiento | 5 de septiembre de 1932 [1] (90 años) |
| Lugar de nacimiento |
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| País | |
| Esfera científica | Ingenieria Eléctrica |
| Lugar de trabajo | IBM |
| alma mater | |
| Titulo academico | Doctor. |
| Conocido como | inventor de DRAM y la ley de escala |
| Premios y premios | Premio Instituto Cledo Brunetti de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos [d] ( 1982 ) Miembro de IBM [d] Medalla Nacional de Tecnología e Innovación de EE . UU . ( 1988 ) Medalla Edison ( 2001 ) Medalla Benjamín Franklin ( 2007 ) Premio Harvey ( 1990 ) Medalla de Honor IEEE ( 2009 ) Salón de la fama de inventores nacionales de EE. UU. Premio Charles Stark Draper ( 2009 ) Premio de Tecnología Avanzada de Kioto [d] ( 2013 ) Premio Lemelson ( 2005 ) Premio al Logro IRI [d] ( 1990 ) Premio de Kioto Premio NAS a la Aplicación Industrial de la Ciencia [d] |
Robert Dennard (nacido el 5 de septiembre de 1932) es un ingeniero eléctrico e inventor estadounidense.
Dennard nació en Terrell , Texas , EE.UU. Recibió su licenciatura y maestría en ingeniería eléctrica de la Universidad Metodista del Sur de Dallas en 1954 y 1956, respectivamente. Recibió su doctorado del Carnegie Institute of Technology en Pittsburgh , Pensilvania en 1958. Fue investigador en International Business Machines .
Su invención más famosa se realizó en 1968: la invención de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Dennard también estuvo entre los primeros en reconocer el enorme potencial de las estructuras MOS . En 1974, Robert Dennard y sus colegas de IBM desarrollaron la teoría de escalamiento de Dennard , que explica la ley de Moore . Trabajando en estructuras MOSFET y MOS , Dennard dedujo la condición necesaria para que se cumpliera la ley de Moore . La esencia del descubrimiento es que si se mantiene constante el valor de la intensidad del campo eléctrico mientras se reduce el tamaño del transistor, los parámetros de rendimiento mejoran. Durante la investigación de Dennard, fue posible demostrar que las estructuras MOS tienen un gran potencial para la miniaturización.