La ( micro ) electrónica funcional es una de las áreas modernas de la microelectrónica , basada en el uso de principios físicos de integración e inhomogeneidades dinámicas que proporcionan principios de operación de dispositivos sin circuitos. La integración funcional asegura el funcionamiento del dispositivo como un todo. Dividirlo en elementos conduce a la interrupción del funcionamiento [1] .
La microelectrónica funcional utiliza la interacción de los flujos de electrones con las ondas sonoras en un sólido , los fenómenos ópticos en un sólido, las propiedades de los semiconductores , los imanes y los superconductores en los campos magnéticos , etc. [1] .
A fines de la década de 1970, apareció la idea de utilizar inhomogeneidades dinámicas en los procesos de procesamiento y almacenamiento de información , así como los principios físicos de integrar no solo la cantidad de elementos, sino también la cantidad de funciones realizadas por un dispositivo microelectrónico. . Los primeros trabajos en esta área pertenecen a Borisov B. S., Valiev K. A., Vasenkov A. A., Gulyaev Yu. V., Erofeev A. A., Lavrishchev V. P., Novikov V. V., Nosov Yu R., A. F. Popkov, V. I. Pustovoit, V. V. Rakitin, V. N. Sretensky, V. I. Stafeev , Ya. A. Fedotov y otros científicos soviéticos. El estudio de los principios de procesamiento y almacenamiento de información utilizando heterogeneidades dinámicas y el desarrollo de dispositivos que operan sobre la base del conocimiento adquirido son fundamentales en el proceso de formación de una nueva dirección en microelectrónica: electrónica funcional [2] .
Dependiendo del tipo de falta de homogeneidad dinámica utilizada, el medio continuo, una u otra combinación de campos o fenómenos físicos , tales áreas de la electrónica funcional se distinguen como:
etc.
También existen áreas mixtas ( acústica-óptica , magnetooptoacústica, y otras).
Shchuka A. A. en el artículo "Electrónica de cuarta generación: ¿electrónica funcional?" [2] propuso un modelo de dispositivo electrónico funcional (FED), que consta de cinco elementos:
Los UFE de primera generación se caracterizan por el hecho de que utilizan un tipo de inhomogeneidades dinámicas en un medio continuo. Algunos ejemplos son las líneas de retardo SAW y la memoria CMD . La segunda generación incluye dispositivos que utilizan simultáneamente inhomogeneidades dinámicas de diversa naturaleza física en varios medios continuos.