Kaláshnikov, Sergei Grigorievich
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| Fecha de nacimiento | 27 de enero ( 9 de febrero ) de 1906 | ||||||||||
| Lugar de nacimiento |
Nikolaev , Gobernación de Kherson , Imperio Ruso |
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| Fecha de muerte | 23 de abril de 1984 (78 años) | ||||||||||
| Un lugar de muerte |
Moscú , URSS |
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| País | URSS | ||||||||||
| Esfera científica | físico | ||||||||||
| Lugar de trabajo | IRÁN | ||||||||||
| alma mater | Universidad estatal de Moscú | ||||||||||
| Titulo academico | Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas | ||||||||||
| Título académico | Profesor | ||||||||||
| Premios y premios |
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Sergei Grigoryevich Kalashnikov (1906-1984), físico soviético y ruso .
Biografía
Nació el 27 de enero ( 9 de febrero ) de 1906 en Nikolaev (ahora Ucrania ) en la familia de un abogado. En 1930 se graduó de la Universidad Estatal de Moscú que lleva el nombre de M. V. Lomonosov y trabajó en la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Moscú durante más de 30 años sucesivamente como asistente, profesor asociado, profesor y director del departamento de física general (1948-1953) . Fundó y dirigió el Departamento de Física de Semiconductores de la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Moscú que lleva el nombre de M. V. Lomonosov (1953-1961). Dirigió el Departamento de Física en MATI que lleva el nombre de K. E. Tsiolkovsky . En la década de 1930 estudió la difracción de electrones lentos en la superficie de los cristales y su dispersión en las vibraciones térmicas de la superficie de los cristales. Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas (1940).
Creó un curso original en física de semiconductores, bajo su liderazgo se desarrolló un sistema de cursos especiales en disciplinas de semiconductores, se creó un taller especial sobre física de semiconductores.
Dirigió el departamento de IREA .
Los resultados del estudio de las propiedades de alta frecuencia de las uniones pn en los semiconductores permitieron resolver el problema de crear diodos para operar en el rango de microondas de los detectores con fines de radar . En 1950 participó en el trabajo sobre física nuclear. En la década de 1960, comenzó a investigar la inestabilidad eléctrica y acustoeléctrica de las ondas de recombinación, absorción y amplificación de ultrasonido con el fin de crear transductores electroacústicos y líneas de retardo .
Familia
- Esposa: Evgenia Semyonovna Kalashnikova Moscú
- Hija: Irina Sergeevna Kalashnikova 07/03/1954
- Nieto: Kalashnikov, Dmitry Anatolyevich 08/04/1987
- Hija: Irina Sergeevna Kalashnikova 07/03/1954
Premios y premios
- Premio Stalin de tercer grado (1951): por mejoras fundamentales en los métodos para levantar barcos hundidos
- Premio estatal de la URSS (1972): por el desarrollo científico y técnico, la creación de tecnología de producción en masa y la introducción generalizada de diodos semiconductores pulsados y matrices de diodos en la economía nacional.
- Trabajador de Honor de la Ciencia y la Tecnología de la RSFSR (1966)
- La orden de Lenin
- tres Órdenes de la Bandera Roja del Trabajo (1945, 1951, 1955)
Libros
- Kalashnikov S.G. Electricidad: Libro de texto para universidades . 6ª ed., estereotipada. — M.: Fizmatlit, 2008. — 624 p. — ISBN 5-9221-0312-1 . ISBN 978-5-9221-0900-0 .
- Bonch-Bruevich V. L. , Kalashnikov S. G. Física de semiconductores. - M.: Nauka, 1977. - Circulación 33.000 ejemplares. (Ed. 2ª, revisada y complementada - 1990. - 688 p.)
- Libro de texto elemental de física: en 3 volúmenes / [M. A. Isakovich y otros]; edición G. S. Landsberg. - [14ª ed.]. - Moscú: Fizmatlit, 2010-. - 22 cm.
- Vol. 2: Electricidad y Magnetismo. [participado por S. G. Kalashnikov, L. A. Tumerman]. -2011. -487 p.: il.; ISBN 978-5-9221-1255-0
- Investigación de amplificación y generación de flujos acústicos en semiconductores piezoeléctricos fotoconductores bajo deriva de electrones supersónicos [Texto] / S. G. Kalashnikov, A. I. Morozov, V. V. Proklov, Yu. A. Gulyaev; Instituto de Ingeniería de Radio y Electrónica de la Academia de Ciencias de la URSS. - Moscú: [n. y.], 1969. - 3 tomos; 21cm
- Parte 1: Técnica experimental. - 1969. - 34 págs. : enfermo.
- Parte 2: Ruido acústico de amplificadores ultrasónicos. - 1969. - 48 págs. : enfermo.
- Parte 3: uso de amplificación y generación de flujos acústicos para determinar la movilidad de deriva de los portadores de carga en semiconductores piezoeléctricos. - 1969. - 32 págs. : enfermo.
Enlaces
- Kalashnikov, Sergei Grigorievich en el sitio web "Crónica de la Universidad de Moscú"
- Procedimientos de S.G. Kalashnikov en el catálogo de RSL .
- Historia del departamento "Física" MATI-RGTU. K.E. Tsiolkovsky (con una mención y una foto de S.G. Kalashnikov como uno de los jefes del departamento)