Alejandro Alexandrovich Lébedev | |
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Fecha de nacimiento | 1959 |
País | URSS → Rusia |
Esfera científica | física de semiconductores |
Lugar de trabajo |
FTI RAS , Universidad Electrotécnica de San Petersburgo |
alma mater | PUEDO |
Titulo academico | Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas |
Título académico | Profesor |
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Aleksandr Aleksandrovich Lebedev (nacido en 1959 , URSS) es un físico experimental soviético y ruso . Se especializa en el estudio de las propiedades físicas del carburo de silicio y otros semiconductores de brecha ancha , desarrolla dispositivos basados en dichos materiales. Autor de más de 300 artículos científicos sobre este tema. Actualmente es el jefe de laboratorio y de Departamento del Instituto Físico-Técnico. A. F. Ioffe RAS , montañas. San Petersburgo . Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas, Profesor.
Nacido en 1959. Hijo y homónimo completo de Alexander Aleksandrovich Lebedev (1929-1999), físico, Doctor en Ciencias, quien trabajó toda su vida en el Instituto Fisicotécnico. La madre de Lebedev Jr., Maya Avgustovna (1929-2003), es candidata a ciencias, también empleada del Instituto Fisicotécnico. El abuelo paterno, Alexander Alekseevich (1893–1969), era óptico, empleado del Instituto Estatal de Óptica , académico de la Academia de Ciencias de la URSS [1] .
Después de completar sus estudios en LETI , fue contratado por el Instituto Fisicotécnico en el laboratorio, entonces dirigido por V. E. Chelnokov . Apareció en el instituto como estudiante (como pasante en el laboratorio de I. V. Grekhov ). En sus primeros años de trabajo interactuó activamente con su padre, juntos publicaron varios artículos. En Phystech, Lebedev pasó por todos los peldaños de la escala profesional, desde asistente principal de laboratorio hasta jefe de laboratorio y, al mismo tiempo, del Departamento de Electrónica de Estado Sólido. Se convirtió en doctor en ciencias físicas y matemáticas [2] .
Paralelamente a su trabajo científico, enseñó en la Universidad Electrotécnica de San Petersburgo [3] . Ahora ocupa el cargo de profesor en el Departamento de Optoelectrónica.
En 2019, fue uno de los tres aspirantes al cargo de director de la FTI RAS [2] .
Laureado del Premio del Gobierno de San Petersburgo por resultados científicos sobresalientes en el campo de la ciencia y la tecnología en 2020: en la nominación de física y astronomía - el Premio. A.F. Ioffe (Decreto del Gobierno de San Petersburgo del 21 de diciembre de 2020 No. 1115) para el estudio de las propiedades eléctricas del carburo de silicio y el desarrollo de dispositivos basados en él [4] .
Lebedev es especialista en el campo de la física, la tecnología y las aplicaciones instrumentales de semiconductores de brecha ancha , principalmente carburo de silicio . Con su participación [2] :
Autor de más de 300 publicaciones, entre monografías y 6 certificados de derechos de autor y patentes [5] .
En colaboración con el laboratorio de Lebedev y Svetlana-Elektronpribor PJSC, se desarrolló e implementó una tecnología para fabricar diodos pin de SiC de alta frecuencia , y también se organizó la producción de monocristales de SiC.
Preparó tres candidatos de ciencias.
Es miembro de dos consejos de disertación , es miembro del consejo editorial de la revista "Advanced Materials Letters".
Miembro del Consejo Científico de la Academia Rusa de Ciencias "Física del Estado Sólido de la Radiación" desde 2020 [6] . Miembro del consejo de expertos de la Russian Science Foundation , coordinador de la sección: física y ciencias espaciales [7] .
Es miembro de los comités de programa de varias conferencias internacionales sobre la física del carburo de silicio y materiales relacionados [2] .