Mu (electrónica)

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$\mu$ ( mu ) en electrónica : la máxima ganancia de voltaje posible de un dispositivo electrónico activo: un transistor , una lámpara de electrones o un conjunto de circuito más complejo. definido como la relación de (a) incrementos de voltaje en los electrodos de salida (colector-emisor, drenaje-fuente, ánodo-cátodo) y (b) incrementos de voltaje de control (base-emisor, puerta-fuente, rejilla-cátodo) que causan el mismo cambio en la corriente de salida (corriente de colector, corriente de drenaje, corriente de ánodo) [1] . Un aumento de voltaje por un factor de 1 es teóricamente posible solo con una resistencia de carga infinitamente grande; en cascadas reales con una resistencia de carga finita, la ganancia es siempre menor . La pendiente de la característica de transferencia , la resistencia interna entre los electrodos de salida y la ganancia están interconectados por la ecuación de los parámetros del triodo (en fuentes extranjeras, la " fórmula de van der Bijl ") $\mu$ $\mu$ $\mu$ $S$ $Rhode Island$ $\mu$

{\ estilo de visualización \ mu = Sr_ {i}}

[2] .

Transistores bipolares

Para transistores bipolares

\mu =Sr_{ce}=\left({\frac {I_{c}}{\phi _{t}}}\right)\left({\frac {U_{a}}{I_{ c}}}\right)={\frac {U_{a}}{\phi _{t}}}

[3] [4] ,

donde es la corriente del colector, es el voltaje de Earley , es el coeficiente de temperatura, que es de aproximadamente 26 mV para el silicio a una temperatura de +25°C [4] . A voltajes Earley típicos de transistores de silicio y temperatura normal , y [5] . Para los transistores (a diferencia de las lámparas), el valor no se encuentra entre los parámetros principales [4] y casi nunca se indica explícitamente, ya que es el equivalente al voltaje de Earley [5] . Rara vez se usa en cálculos prácticos (el efecto Earley generalmente se puede ignorar): este es el límite teórico para una cascada de un solo transistor con un emisor común o una base común [4] , implementada solo en reposo (sin toma de fuerza). por la carga) [5] . Es posible acercarse al calculado en un amplificador real solo usando una carga de colector activo en una fuente de corriente de transistor (una carga resistiva requeriría un voltaje de suministro extremadamente alto) [5] . $yo_{c}$ $U_{a}$ ${\ estilo de visualización \ phi _ {t}}$ ${\ estilo de visualización \ mu _ {npn} \ aproximadamente 1000... 6000}$ ${\ estilo de visualización \ mu _ {pnp} \ aproximadamente 1000...3000}$ $\mu$ $\mu$ $\mu$

Triodos

Para triodo de vacío

{\displaystyle \mu =1/D=C_{ck}/C_{ak))

[6] ,

donde es la permeabilidad electrostática de la rejilla de control , son las capacidades rejilla-cátodo y ánodo-cátodo. El valor recíproco de la permeabilidad sirve como medida de la eficacia de la acción de apantallamiento de la malla: cuanto más gruesa se enrolla la malla, lo que corresponde a valores mayores de , más débil es el efecto del ánodo sobre la corriente que fluye [7 ] [6] . prácticamente no cambia con el envejecimiento de la lámpara, prácticamente no depende de la corriente del filamento o de la temperatura del cátodo, y depende débilmente de la elección del punto de funcionamiento. En condiciones normales de desplazamiento negativo, la rejilla prácticamente no cambia [6] . A tensiones positivas en la red , disminuye debido a la ramificación de parte de la corriente del cátodo en el circuito de la red, ya tensiones negativas cercanas a la tensión de bloqueo, debido al efecto isla [6] . El valor más pequeño , aproximadamente 2..3, es característico de los potentes triodos especializados para estabilizadores de voltaje, que tienen la impedancia de salida más baja posible. En válvulas para amplificación de tensión y potencia, el rango se extiende desde unos 4 (triodos de salida potentes de filamento directo) hasta 120 (válvulas de alta tensión para amplificación) [8] . $D$ $C_{ck},C_{ak}$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$ $\mu$

Notas

↑ Batushev, 1969 , pág. 85.
↑ Batushev, 1969 , pág. 86-87.
↑ Titze y Schenk, volumen 1, 2008 , pág. 124.
↑ 1 2 3 4 Titze y Schenk, volumen 1, 2008 , pág. 565.
↑ 1 2 3 4 Titze y Schenk, volumen 1, 2008 , pág. 125.
↑ 1 2 3 4 Batushev, 1969 , p. 86.
↑ Batushev, 1969 , pág. 61.
↑ Whitaker J. El manual de electrónica . - CRC Press, 1996. - Pág. 300. - ISBN 9780849383458 .

Literatura

Batushev V. A. Dispositivos electrónicos. - M. : Escuela superior, 1969. - 608 p. — 90.000 copias.
Tietze U. , Shenk K. Circuitos de semiconductores. Tomo I. - 12ª edición. - M. : DMK-Press, 2008. - 832 p. — ISBN 5940741487 .