El óxido de zinc de indio y galio ( óxido de zinc de indio y galio , abreviado IGZO ) es un material semiconductor que se puede utilizar como canal para transistores transparentes de película delgada . Estos materiales pueden ser un sustituto del silicio amorfo para pantallas LCD de matriz activa y pantallas OLED [1] . La movilidad de electrones de este material es cuarenta veces mayor que la del silicio amorfo, lo que permite reducir el tamaño de píxel (para una resolución mucho mayor que el formato HDTV ) o el tiempo de respuesta de la pantalla . Los nuevos transistores basados en la tecnología IGZO no necesitan actualizar constantemente su estado cuando muestran una imagen fija. Esto permite reducir el efecto de interferencia de los componentes electrónicos de la pantalla y reducir el consumo de energía. El uso de IGZO conduce a una mayor precisión y sensibilidad de los paneles táctiles [2] .