Varios ministerios participaron en la producción de equipos electrónicos y microelectrónicos en la URSS :
Estado. órganos:
Los centros de la industria fueron las ciudades de Moscú y la región de Moscú (Zelenograd, Fryazino), Leningrad , Voronezh , Novosibirsk .
Una parte significativa de la producción se envió a la producción de defensa (ver el complejo militar-industrial de la URSS ).
En la URSS, los rectificadores de óxido de cobre fueron producidos industrialmente (años 30), llamados " zvitektory " (acrónimo de TsVI - Central to the All - Union and Research Radio Laboratory ( NRL ) en la ciudad de Gorki , allí por primera vez en el URSS (1935) y fue desarrollado dispositivo) y detector )
El primer transistor planar en serie soviético - P1 , el comienzo de la producción industrial - 1955.
En 1958, el edificio ya reconstruido y el sitio industrial adyacente de la fábrica textil en Voronezh se convirtieron urgentemente en una empresa para la producción de dispositivos semiconductores: la Planta de Dispositivos Semiconductores de Voronezh ( VZPP , "Planta 111"). En 1959, la planta inició la producción de los primeros transistores y diodos de germanio del país.
En 1962, en la Oficina de Diseño de la Planta de Dispositivos de Semiconductores de Riga ( Riga ), por orden de NIIRE, el primero en la URSS (y el tercero en el mundo, después de J. Kilby y R. Noyce , EE. UU.) Esquema integrado de semiconductores P12 -2 (serie 102).
El primer circuito integrado de silicio en la URSS se fabricó en 1966 en VZPP[ especificar ] . A principios de los años 70, sobre la base de VZPP-NIIET, se formó la Asociación científica y de producción "Elektronika" (NPO Elektronika se convirtió en la empresa industrial más grande no solo en la región de Voronezh y la región central de Chernozem, sino también en todo el país). industria electrónica - más de 45 mil personas). En 1984, la planta de Videofon, que formaba parte de NPO Elektronika, lanzó la producción de la primera videograbadora doméstica doméstica (" Electrónica VM-12 ").
El primero en el circuito integrado híbrido de película gruesa de la URSS (serie 201 "Path") se desarrolló en 1963-65. en el Instituto de Investigación de Tecnología de Precisión (ahora " Angstrem "); producción en serie desde 1965. Especialistas del NIEM (ahora Argon Research Institute ) participaron en el desarrollo [1] [2] .
El primer circuito integrado en la URSS se creó sobre la base de tecnología planar , desarrollado a principios de 1960 en el NII-35 de Moscú (ahora el Instituto de Investigación Pulsar ) por un equipo, que luego fue transferido a NIIME (" Mikron "). La creación del primer circuito integrado de silicio doméstico se centró en el desarrollo y producción con aceptación militar (desarrollado por orden de defensa para su uso en un altímetro autónomo de un sistema de guía de misiles balísticos ) de una serie de circuitos integrados de silicio TS-100. El desarrollo incluyó seis circuitos planos de silicio integrados típicos de la serie TS-100 y, con la organización de la producción piloto, llevó tres años en NII-35 (de 1962 a 1965), otros dos años se dedicaron a dominar la producción en fábrica con aceptación militar. en Fryazino (1967) [3] .
Las primeras computadoras seriales del mundo en circuitos integrados fueron las computadoras Gnom soviéticas, producidas desde 1965.
La empresa principal en el campo de la electrónica de microondas es la central nuclear "Istok" cerca de Moscú (Fryazino).