Intel TeraHertz es el nombre de la tecnología Intel para transistores . [una]
Utiliza nuevos materiales como la zirconia , que es un excelente aislante que reduce las fugas de corriente . Mediante el uso de zirconio en lugar de dióxido de silicio , este transistor puede reducir las fugas de corriente y, por lo tanto, reducir el consumo de energía mientras sigue funcionando a mayor velocidad y utilizando voltajes más bajos .
Un elemento de esta estructura es el "transistor de sustrato agotado", que es un tipo de dispositivo CMOS en el que un transistor está incrustado en una capa ultrafina de silicio encima de una capa de aislamiento integrada. Esta capa de silicio ultradelgada se agota por completo para maximizar la corriente de accionamiento cuando se enciende el transistor, lo que permite que el transistor se encienda y apague más rápido. Por el contrario, cuando el transistor está apagado, la fuga de corriente no deseada se minimiza mediante una fina capa aislante. Esto permite que el transistor de sustrato se agote 100 veces menos que los circuitos tradicionales de silicio sobre aislante. Otra innovación del transistor de sustrato empobrecido de Intel es el uso de contactos de baja resistencia sobre una capa de silicio. Por lo tanto, el transistor puede ser muy pequeño, muy rápido y consumir menos energía. Otro elemento importante es el desarrollo de un nuevo material que reemplaza al dióxido de silicio en la oblea . Todos los transistores tienen un "dieléctrico de puerta", un material que separa la " puerta " del transistor de su región activa (la puerta controla el estado de encendido y apagado del transistor). Según un comunicado de prensa de Intel , el nuevo diseño sólo puede utilizar 0,6 voltios .
Intel TeraHertz se introdujo en 2001, pero no se ha utilizado en procesadores desde 2015 .