Víctor Pavlovich Gribkovsky | ||
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Viktar Pavlavich Grybkovsky | ||
Fecha de nacimiento | 30 de abril de 1932 | |
Lugar de nacimiento | v. Astashkovichi , distrito de Dubrovensky , BSSR , URSS | |
Fecha de muerte | 26 de octubre de 2000 (68 años) | |
Un lugar de muerte | ||
País | ||
Esfera científica | físico | |
Lugar de trabajo | * Instituto de Física de la Academia de Ciencias de Bielorrusia | |
alma mater | Universidad Estatal de Bielorrusia | |
Titulo academico | Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas | |
Título académico | Miembro Correspondiente de la Academia de Ciencias de la BSSR | |
consejero científico | BI. Stepánov | |
Premios y premios |
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Viktor Pavlovich Gribkovsky ( bielorruso: Viktar Pavlavich Grybkowski , 1932 - 2000 ) - Físico soviético y bielorruso . Miembro Correspondiente de la Academia de Ciencias de la BSSR ( 1977 ), Doctor en Ciencias Físicas y Matemáticas ( 1973 ), Profesor ( 1979 ).
Gribkovsky nació el 30 de abril de 1932 en el pueblo de Astashkovichi (ahora Distrito de Dubrovno , Óblast de Vitebsk , Bielorrusia ). En 1956 se graduó de la Facultad de Física y Matemáticas de la Universidad Estatal de Bielorrusia , y después de graduarse de la escuela de posgrado y hasta el final de su vida, trabajó en el Instituto de Física de la Academia de Ciencias de Bielorrusia. En 1971, organizó y dirigió el Laboratorio de Óptica de Semiconductores, al mismo tiempo en 1975-1985 fue Vicepresidente del Consejo para la Coordinación de Actividades Científicas bajo el Presidium de la Academia de Ciencias de la BSSR , impartió cursos especiales en la Universidad Estatal de Bielorrusia .
Hay 4 doctores y 25 candidatos de ciencias entre los estudiantes de Gribkovsky .
El trabajo científico de Gribkovskii está dedicado a la óptica no lineal , la física láser , la teoría de la luminiscencia y la física de semiconductores . Desarrolló una teoría de la absorción de la luz y la luminiscencia bajo excitación intensa y reveló las regularidades básicas de los efectos de saturación en los semiconductores ; se obtienen fórmulas generales para una serie de características (umbral, potencia, eficiencia , frecuencia, modo de generación óptimo) de los láseres semiconductores ; hizo una contribución significativa a la física de las descargas de serpentinas en los semiconductores .
Gribkovsky es autor de más de 300 artículos científicos, entre ellos: