K565RU1 : un componente electrónico, un chip RAM dinámico de acceso aleatorio con una capacidad de 4096 bits y una organización de 4096x1.
Desarrollado en 1975 [1]
Diseñado para almacenar información (programas y datos) en dispositivos con microprocesador . Es un análogo completo de los microcircuitos Texas Instruments TMS4060, National Semiconductor MM5280 e Intel 2107A.
Tensión de alimentación: +5 V, +12 V, -5 V. Tipo de caja: CDIP22 , bastante raro. El microcircuito tenía una velocidad suficiente para su uso con microprocesadores modernos, aproximadamente 3 veces más rápido que los desarrollos basados en P-MOS (serie K505) que iban casi en paralelo. Los primeros lanzamientos utilizaron un paquete de cerámica de 10 mm de ancho, luego, para reducir el costo, se desarrolló un paquete de plástico a base de epoxi con las mismas dimensiones y pinout.
Este es el primer microcircuito DRAM basado en la tecnología n-MOS en la URSS , así como el primer microcircuito comparable en parámetros con análogos extranjeros modernos entre los microcircuitos RAM dinámicos. A pesar de que la acumulación en ese momento era de aproximadamente 2 años [1] (el prototipo de Texas Instruments apareció en 1973), la aparición de este microcircuito mostró que se presta mucha atención al desarrollo de la tecnología informática en la URSS. El desarrollo de este microcircuito en particular se asoció con la copia de la arquitectura LSI-11; tal memoria se usó en la placa de esta computadora, repetida en forma de Electronics-60 .
El chip es la primera generación de RAM dinámica soviética. En el momento de la decisión de lanzarlo, aún no era obvio que los microcircuitos con una dirección multiplexada fueran más prometedores para la RAM dinámica, por lo que el K565RU1, como los prototipos, usa 12 pines para transmitir la dirección. Una de las características del microcircuito es que los datos de salida están invertidos con respecto a la entrada, por lo que la entrada y la salida del microcircuito no se pueden conectar, a pesar de la cascada de salida de tres estados; sin un elemento inversor adicional, los datos serán distorsionado.
Otra característica del microcircuito es el uso de una señal de reloj CE de alto voltaje con niveles de 0 y +12 voltios. Las características de tiempo de esta señal son tales que puede coincidir con la señal de reloj F2, aplicada a la entrada del microprocesador KR580VM80A y usando los mismos niveles, pero la memoria requiere un modelador especial o una cascada de tres transistores con una carga activa, mientras que el microprocesador es más tolerante y trabaja con una cascada resistiva convencional.
Finalmente, la tercera característica es el uso de obsoletos , en el momento en que se lanzó este microcircuito, una celda DOZU de tres transistores.
A pesar de las deficiencias , el microcircuito permitió reducir drásticamente el costo de almacenar 1 bit de información en los sistemas de microprocesador de esa época y fue bastante utilizado, por ejemplo, sobre la base de K565RU1, memoria de visualización 15IE-00 -013 y memoria de depuración de la placa del procesador M1 o M2. El microcircuito se produjo durante mucho tiempo, incluso en comparación con el K565RU3 más avanzado , al menos hasta mediados de los 90, debido al uso en máquinas CNC , cuya vida útil superó significativamente la obsolescencia de la tecnología informática.
La matriz de memoria tenía un tamaño de 64x64 celdas. Al igual que otros DOZU, para guardar información, K565RU1 requería una regeneración periódica. La regeneración se llevó a cabo enumerando 64 direcciones inferiores (el estado de las líneas de direcciones superiores no era importante), con la señal de reloj CE aplicada, otras señales podrían estar en estado inactivo. El período de regeneración no debe exceder los 2 milisegundos. Este es un momento típico para los dispositivos de primera generación. Al usar dichos microcircuitos en controladores de video, donde cada segundo era necesario actualizar la imagen en la pantalla 50-60 veces, la regeneración era "gratuita", mientras que en el caso de usarlo como RAM "principal", la regeneración se redujo el rendimiento del sistema en un pequeño porcentaje. Algunos sistemas usaban trucos que permitían que ocurriera la regeneración mientras el microprocesador no accedía a la RAM.
Conclusión | Designacion | Tipo de salida | Objetivo |
---|---|---|---|
una | nosotros | - | -Voltaje de polarización de sustrato negativo de 5V |
2 | A9 | Entrada | Señal <Dirección 9> |
3 | A10 | Entrada | Señal <Dirección 10> |
cuatro | A11 | Entrada | Señal <Dirección 11> |
5 | CS# | Entrada | <Selección de cristal> Señal |
6 | ESTRUENDO | Entrada | Entrada de datos al escribir |
7 | DOUT# | Salida triestable | Salida de datos al leer (con inversión) |
ocho | A0 | Entrada | Señal <Dirección 0> |
9 | A1 | Entrada | Señal <Dirección 1> |
diez | A2 | Entrada | Señal <Dirección 2> |
once | Ucc1 | - | Tensión de alimentación +5V |
12 | NOSOTROS# | Entrada | Señal <Activar escritura> |
13 | A3 | Entrada | Señal <Dirección 3> |
catorce, | A4 | Entrada | Señal <Dirección 4> |
quince, | A5 | Entrada | Señal <Dirección 5> |
dieciséis | CAROLINA DEL NORTE | - | No conectado |
17 | CE | entrada de alto voltaje | <Cristal encendido> Señal 12V |
Dieciocho | Ucc2 | - | Tensión de alimentación +12 V |
19 | A6 | Entrada | Señal <Dirección 6> |
veinte | A7 | Entrada | Señal <Dirección 7> |
21 | A8 | Entrada | Señal <Dirección 8> |
22 | TIERRA | - | General |