Microchips soviéticos para construir dispositivos de almacenamiento

Los dispositivos de almacenamiento de semiconductores se utilizan ampliamente para crear memoria de computadora, tanto memoria de acceso aleatorio como memoria permanente. A menudo, estos dispositivos se basan en microchips . Dependiendo de los requisitos de diseño para la computadora que se está creando, se realiza la elección del tipo, el tipo y la serie específica de microcircuitos.

Resumen de microcircuitos utilizados en la URSS para crear memoria de computadora

Dispositivos de memoria LSI de semiconductores utilizados en computadoras

Tipo de	tecnología de fabricación	Volumen de información , bit	Organización, palabras × dígitos	Hora de obtención de la dirección , ns	Consumo de energía , mW
RAM estática
K550RU145	ESL	64	1×1	diez	825
K531RU11P	TTLSH	64	16×1	40	550
K155RU5	TTL	256	256×1	90	735
K176RU2	CMOS	256	256×1	900	19
K561RU2A/B	CMOS	256	256×1	970/1600	2.8/5
K132RU2A/B	n-MOS	1 A	1K×1	950	440
K132RU3A/B	n-MOS	1 A	1K×1	75/125	660
K155RU7	TTL	1 A	1K×1	45	840
K537RU1A/B/V	CMOS	1 A	1K×1	800/1300/2500	0.5
KR565RU2A/B	n-MOS	1 A	1K×1	450/850	385
KM132RU8A/B	n-MOS	4K	1K×4	60/100	900
K541RU2A	I2L	4K	1K×4	120/90	525
KR537RU3A/B/V	CMOS	4K	4K×1	320	110
KR537RU4A/B	CMOS	4K	4K×1	200/300 350/500 (ciclo)	0,125 (almacenamiento) 100 (dinámico)
KR537RU6A/B	CMOS	4K	4K×1	160/300 240/390 (ciclo)	0,05/0,15 (almacenamiento)
KR537RU11A/B/V	CMOS	4K	0.25K × 16	300/300/430 (ciclo)	0,15/0,4/1,5 (almacenamiento)
KR537RU13/A/B	CMOS	4K	1K×4	160/95/160 (ciclo)	25 (almacenamiento) 250 (dinámico)
KR537RU14A/B	CMOS	4K	4K×1	80/130 (ciclo)	25 (almacenamiento) 175 (dinámico)
K541RU31…34	I2L	8K	8K×1	150	565
KR537RU8A/B	CMOS	16K	2K×8	220/400	5/10 (almacenamiento) 50/100 (dinámico)
KR132RU6A/B	n-MOS	16K	16K×1	75/120	140/440
K541RU3/A	I2L	16K	16K×1	150/100	565
KR537RU9A/B	CMOS	16K	2K×8	190/340 350/500 (ciclo)	1/2,5 (almacenamiento) 175 (dinámico)
KR537RU10	CMOS	16K	2K×8	450 450 (ciclo)	25 (almacenamiento) <300 (dinámico)
KR537RU25A/B/V	CMOS	16K	2K×8	450 450 (ciclo)	0,025...0,05 (almacenamiento) <250 (dinámico)
KR537RU18	CMOS	16K	16K×1	150	1.25...2 (almacenamiento) 100 (dinámico)
KR537RU16A/B/N/G	CMOS	64K	8K×8	150...400 150...400 (ciclo)	5...10 (almacenamiento) 175...250 (dinámico)
KR537RU17	CMOS	64K	8K×8	130 130 (ciclo)	0,38...0,75 (almacenamiento) 350 (dinámico)
KR537RU19/A/B	CMOS	64K	64K×1	65...95	1.25 (almacenamiento) 350 (dinámico)
RAM dinámica
KR565RU6B/W/G/D	n-MOS	16K	16K×1	230…460	150/140/130/120
K565RU5B/W/G/P	n-MOS	64K	64K×1	230…460	21…32
K565RU7V/G/D	n-MOS	256K	256K×1	340/410/500	120…150
Máscara de ROM
K155RE21/22/23/24	TTL	1 A	256×4	70	690
KR568RE2	n-MOS	64K	8K×8	400	590
K569RE1	TTL	64K	8K×8	350	640
KR568RE3	n-MOS	64K	16K×4	800	300
ROM programables de una sola vez
KR556RT1B	TTLSH	8K	2K×4	60	740
KR556RT16	TTLSH	64K	8K×8	85	1000
KR556RT17	TTLSH	4K	0.512K×8	cincuenta	890
KR556RT18	TTLSH	16K	2K×8	60	950
ROM reprogramables
K573RF23/24	n-MOS	8K	2K×4	450	200/580
K573RF33/34	n-MOS	16K	1K×16	200/580	200/580
K573RF2	n-MOS	16K	2K×8	450	200/580
K537RF5	n-MOS	16K	2K×8	450	135/580
K573RF31/32	n-MOS	32K	2K×16	450	450
K537RF41/42	n-MOS	32K	4K×8	500	700
K573RF43/44	n-MOS	32K	8K×4	N / A	N / A
K573RF3	n-MOS	64K	4K×16	450	210/450
K573RF4	n-MOS	64K	8K×8	500	200/700
K573RF6	n-MOS	64K	8K×8	500	265/870

Chips para construir RAM

CI	tipo de caparazón	Nota
RAM estática n-MOS serie K132; +5 V
K132RU3A	4112.16-2	RAM estática 1K×1; 60 ns
K132RU3B	4112.16-2	RAM estática 1K×1; 110 ns
RAM estática n-MOS de la serie KM132; +5 V
KM132RU3A	201.16-8	RAM estática 1K×1; 60 ns
KM132RU3B	201.16-8	RAM estática 1K×1; 110 ns
KM132RU5A	2104.18-1	RAM estática 4K×1; 60 ns
KM132RU5V	2104.18-1	RAM estática 4K×1; 55 ns
KM132RU8A	2104.18-1	RAM estática 1K×4; 60 ns
KM132RU8B	2104.18-1	RAM estática 1K×4; 100 ns
KM132RU9A	2104.18-1	RAM estática 1K×4; 50 ns
KM132RU9B	2104.18-1	RAM estática 1K×4; 90 ns
RAM estática n-MOS de la serie KR132; +5 V
KR132RU3A	2103.16-6	RAM estática 1K×1; 60 ns
KR132RU3B	2103.16-6	RAM estática 1K×1; 110 ns
KR132RU4A	2103.16-6	RAM estática 1K×1; 33 ns
KR132RU4B	2103.16-6	RAM estática 1K×1; 50 ns
KR132RU6A	2140Yu.20-3	RAM estática 16K×1; 45 ns; 410 mW
KR132RU6B	2140Yu.20-3	RAM estática 16K×1; 70 ns; 410 mW
KR132RU7	2140Yu.20-3	RAM estática 2K×8; 250 ns
Serie KM185 TTL RAM; +5 V
KM185RU7	2108.22-1	RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KM185RU7A	2108.22-1	RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
KM185RU8	2108.22-1	RAM 256 × 8; 45 ns; 925 mW
KM185RU10	2108.22-1	RAM 16K×1; 50 ns; 750 mW
RAM TTL de la serie KR185; +5V
KR185RU7	210A.22-3	RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KR185RU7A	210A.22-3	RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
RAM estática CMOS serie KR188
KR188RU2A	238.16-1	RAM estática 256×1; 500 ns
RAM estática CMOS serie K537; +5 V
K537RU3A	4116.18-1	RAM estática 4K×1; 250 ns
K537RU3B	4116.18-1	RAM estática 4K×1; 160 ns
K537RU4A	4116.18-1	RAM estática 4K×1; 200 ns; 40 μW (en modo de almacenamiento de información)
K537RU4B	4116.18-1	RAM estática 4K×1; 300 ns; 80 μW (en modo de almacenamiento de información)
K537RU4V	4116.18-1	RAM estática 4K×1; 500 ns; 80 μW (en modo de almacenamiento de información)
K537RU13	427.18-2.02	RAM estática 1K×4; 150 ns; 60 μW (en modo de almacenamiento de información)
RAM estática CMOS serie KM537; +5 V
KM537RU1	201.16-15	RAM estática 1K×1; 300 ns
RAM estática CMOS serie KP537; +5 V
KR537RU1	238.16-1	RAM estática 1K×1; 300 ns
KR537RU2A	2107.18-4	RAM estática 4K×1; 300 ns
KR537RU2B	2107.18-4	RAM estática 4K×1; 430 ns
KR537RU3A	2107.18-1	RAM estática 4K×1; 250 ns; 100 mW; 5 μW (en modo de almacenamiento de información)
KR537RU3B	2107.18-1	RAM estática 4K×1; 160 ns; 100 mW; 250 μW (en modo de almacenamiento de información)
KR537RU5A	210A.22-3	RAM estática 1K×4; 300 ns
KR537RU5B	210A.22-3	RAM estática 1K×4; 400 ns
KR537RU8A	239.24-2	RAM estática 2K×8; 220 ns
KR537RU8B	239.24-2	RAM estática 2K×8; 400 ns
KR537RU10A	239.24-2	RAM estática 2K×8; 200 ns
KR537RU11A	239.24-2	RAM estática 256x16; 440 ns; 1,5 mW (en modo de almacenamiento)
KR537RU11B	239.24-2	RAM estática 256x16; 440 ns; 2,4 mW (en modo de almacenamiento)
KR537RU13	2107.18-1	RAM estática 1K×4; 160 ns
Serie K541 TTLSH-IIL; +5 V
K541RT1	402.16-21	ROM 256×4; 80 ns; 400 mW
K541RU2	427.18-2.03	RAM estática 1K×4; 120 ns
K541RU2A	427.18-2.03	RAM estática 1K×4; 90 ns; 525 mW
Serie KR541 TTLSH-IIL; +5 V
KR541RU1	2107.18-1	RAM estática 4K×1; 100 ns; 490 mW
KR541RU1A	2107.18-1	RAM estática 4K×1; 70 ns; 450 mW
KR541RU2	2107.18-1	RAM estática 1K×4; 120 ns; 550 mW
RAM n-MOS de la serie KE565
KE565RU1A	2108.22-8	RAM dinámica 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12 V
KE565RU1B	2108.22-8	RAM dinámica 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12 V
RAM n-MOS de la serie KR565
KR565RU1A	210A.22-3	RAM dinámica 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12V
KR565RU1B	210A.22-3	RAM dinámica 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12V
KR565RU5V	2103.16-8	RAM dinámica 64K×1; 150 ns; +5V; 195 mW
KR565RU5G	2103.16-8	RAM dinámica 64K×1; 200 ns; +5V; 185 mW
KR565RU5E	2103.16-8	RAM dinámica sobre 64K×1; 250 ns; +5V; 160 mW
KR565RU6B	2103.16-2	RAM dinámica 16K×1; 120 ns; +5V; 140 mW
KR565RU6V	2103.16-2	RAM dinámica 16K×1; 150 ns; +5V; 120 mW
KR565RU6G	2103.16-2	RAM dinámica 16K×1; 200 ns; +5V; 115 mW
KR565RU6D	2103.16-2	RAM dinámica 16K×1; 250 ns; +5V; 110 mW
Serie K1500 ESL con mayor velocidad; -4,5 V
K1500RU073	4114.24-3	RAM 64×4, 6 ns; 990 mW
Serie KM1603
KM1603RU1	210A.22-1	RAM estática 256x4; 360 ns; 75 μW (en modo de almacenamiento de información)

K565RU3

K565RU3 : un componente electrónico, un chip RAM dinámico de acceso aleatorio con una capacidad de 16 384 bits y una organización de 16 384 × 1.

K565RU7

El microcircuito K565RU7 es un dispositivo con muestreo aleatorio de tipo dinámico con una capacidad de 262 144 bits (organización de 262 144 × 1 bit) fabricado con tecnología de semiconductores en MOSFET de canal n .

Chips para construir ROM

CI	tipo de caparazón	Nota
Serie KR556 TTLSH-PPZU;
KR556RT2	2121.28-1	Matriz PLM, 16 variables de entrada, 48 conjunciones, 8 variables de salida, TS
KR556RT4	238.16-2	ROM 256×4; OK; 70 ns; 683 mW
KR556RT4A	238.16-2	ROM 256×4; OK; 45 ns; 683 mW
KR556RT5	239.24-2	ROM 512 × 8; OK; 70 ns; 1W
KR556RT6	239.24-2	ROM 2Kx8; OK; 80 ns; 1W
KR556RT7	239.24-2	ROM 2Kx8; TS; 80 ns; 1W
KR556RT11	238.16-2	ROM 256×4; TS; 45 ns; 650 mW
KR556RT16	239.24-2	ROM 8Kx8; TS; 85 ns; 950 mW
KR556RT18	239.24-2	ROM 2Kx8; TS; 60 ns; 900 mW
KR556RT20	239.24-2	ROM 1Kx8; TS; 30 ns; 960 mW
Serie KR558 EEPROM; +5, -12V
KR558RR1	405.24-7	EEPROM 256×8; 5µs; 370 mW
KR558RR2A	405.24-7	EEPROM 2Kx8; 350 ns; 490 mW
KR558RR2B	405.24-7	EEPROM 2Kx8; 700 ns; 490 mW
KR558RR4	2121.28-5	EEPROM 8Kx8; 400 ns; 400 mW
CR558HP1	239.24-2	Contador decimal de 7 dígitos, EEPROM, decodificador de código binario
CR558HP2	2103.16-6	registro de desplazamiento de 24 bits, EPROM 16×24; 310 mW
ROM MOS de la serie KR568; +5, +12, -5V
KR568RE1	2120.24-3	ROM tipo estático 2Kx8; 700 ns
KR568RE2	2121.28-5	ROM 8Kx8; 250 ns; 420 mW
KR568RE3	2121.28-5	ROM 16Kx8; 550 ns; 315 mW
Serie 573 PROM
K573PP2	2120.24-1.02	EEPROM 2Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР21	2120.24-1.02	EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР22	2120.24-1.02	EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
K573RF1	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF2	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF3	210B.24-5	PROM con borrado UV 4Kx16; 400 ns; +5V; 200 mW
K573RF3A	210B.24-5	PROM con borrado UV 4Kx16; 550 ns; +5V; 446 mW
K573RF3B	210B.24-5	PROM con borrado UV 4Kx16; 800 ns; +5V; 446 mW
K573RF4A	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF4B	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF5	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx8; 450 ns; +5V; 525 mW
K573RF6A	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF6B	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF7	2121.28-6	PROM con borrado UV 32Kx8; 300 ns; 600 mW
K573RF11	210B.24-5	PROM con borrado UV 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF12	210B.24-5	PROM con borrado UV 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF13	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF14	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF21	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF22	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF23	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF24	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF31	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF32	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF33	210B.24-5	PROM con borrado UV 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF34	210B.24-5	PROM con borrado UV 1Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF41A	2121.28-8	PROM con borrado UV 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF41B	2121.28-8	PROM con borrado UV 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF42A	2121.28-8	PROM con borrado UV 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF42B	2121.28-8	PROM con borrado UV 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF43A	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF43B	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF44A	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF44B	2121.28-8	PROM con borrado UV 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF61A	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF61B	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF62A	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF62B	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF63A	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF63B	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF64A	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF64B	2121.28-6.04	PROM con borrado UV 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW

Véase también

Notas

Literatura

Alishov N. I., Nesterenko N. V., Novikov B. V. y otros Capítulo 2.3 Memoria LSI para construir memoria interna // Manual de computadoras personales / Pod. edición miembro correspondiente Academia de Ciencias de la RSS de Ucrania B. N. Malinovsky. - K. : "Técnica", 1990. - 384 p. - 45.000 ejemplares. — ISBN 5-335-00168-2 .
Todos los microcircuitos domésticos. - 2ª ed., revisada y complementada. - M. : Editorial "Dodeka-XXI", 2004. - 400 p. — ISBN 5-94120-034-X .
S. V. Yakubovsky, N. A. Barkanov, L. I. Nisselson et al. Circuitos integrados analógicos y digitales. Manual de referencia. / ed. S. V. Yakubovsky .. - 2ª ed., Revisada. y adicionales.. - M. : Radio y comunicación, 1985. - 432 p. — (Diseño de REA sobre circuitos integrados).
S. V. Yakubovsky, L. I. Nisselson, V. I. Kuleshova et al. Circuitos integrados digitales y analógicos: Manual. / ed. S. V. Yakubovsky. - M. : Radio y comunicación, 1990. - 496 p. — ISBN 5-256-00259-7 .
V. V. Baranov, N. V. Bekin, A. Yu. Gordonov. Dispositivos de almacenamiento LSI de semiconductores. Manual / ed. PERO . Yu. Gordonova y Yu. N. Dyakova .. - M. : Radio y comunicación, 1987. - 360 p.

Enlaces

Museo de rarezas electrónicas

Microcontroladores

Arquitectura

8 bits	MCS-51 MCS-48 FOTO AVR Z8 H8 COP8 68HC08 68HC11
16 bits	MSP430 MCS-96 MCS-296 foto24 MAXQ niños 68HC12 68HC16 CR16/C
32 bits	RISC-V BRAZO MIPS AVR32 PIC32 683XX M32R súper Nios II am29000 LatticeMico32 MPC5xx PowerQUICC Hélice de paralaje

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