Pendiente subumbral

Pendiente de subumbral (más precisamente: la pendiente de la característica transitoria [puerta de drenaje] en la región de subumbral , pendiente de subumbral ing. ): un indicador de la funcionalidad de un transistor de efecto de campo en voltajes de puerta de fuente por debajo del voltaje de umbral . Definido como $V_{SG}$ $V_{th}$

{\displaystyle S={\frac {d\log(I_{D})}{dV_{SG))))

A menudo se utiliza la pendiente inversa del subumbral ( ing. oscilación del subumbral ) , medida en milivoltios por década, es decir, por el orden de cambio en la corriente de drenaje. ${\ estilo de visualización 1/S}$

Para fines técnicos, es deseable aumentar la pendiente y, en consecuencia, minimizar la magnitud de la pendiente inversa. Idealmente, en el modo subumbral, la característica debería tener una forma exponencial ( es la constante de Boltzmann , es la temperatura, es la carga elemental , constante), y la línea debería ser recta, como para una unión pn con polarización directa . Por lo tanto, a una temperatura de 300 K, la pendiente inversa ideal es $I_{D}(V_{SG})$ $A\,\exp(qV_{SG}/k_{B}T)$ $k_B$ $T$ $q$ ${\ estilo de visualización A = \,}$ ${\ estilo de visualización \ log (I_ {D}) (V_ {SG})}$

[1/S]_{min}=\ln(10)\cdot {\frac {k_{B}T}{q))\aproximadamente 60\,

mV/dec.

En la práctica, los valores son algo más altos.

Las imprecisiones de la terminología no son infrecuentes, cuando tanto la inclinación en sí misma como la inclinación inversa se denominan "inclinación" en este contexto, pero por lo general queda claro de inmediato lo que está en juego.

Literatura

Recopilación de ScienceDirect sobre la inclinación del subumbral (ver en particular 3.3)
Optimización de transistores CMOS de potencia ultrabaja ; Michael Stockinger, 2000