Elbrus-S | |
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UPC | |
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Producción | 2010 |
Desarrollador | MCST |
Fabricante | |
Frecuencia de la CPU | 500 MHz |
Producción tecnológica | 0,090 micras |
Calificación | 1891VM5Ya |
conector |
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Núcleos | |
Elbrús 2000Elbrus-2С+ |
Elbrus-S (1891ВМ5Я) es la próxima generación del microprocesador ruso Elbrus 2000 basado en la arquitectura Elbrus , desarrollado por MCST .
Para 2017, el procesador ya no está disponible para pedidos [1] .
El procesador Elbrus-S ( System on a Chip , SoC) se basa en la arquitectura Elbrus , cuya característica distintiva es la paralelización más profunda de recursos hasta la fecha para ejecutar simultáneamente instrucciones VLIW . Máximo rendimiento 39,5 GIPS .
El procesador es la base del módulo informático de 4 procesadores MB3S/C [2] . El módulo se basa en el módulo de procesador MB3S1/C, que es una configuración de placa única que consta de cuatro microcircuitos Elbrus-S conectados por canales de intercambio entre procesadores de alta velocidad, secciones de RAM compartidas conectadas a ellos y controladores de entrada/salida [3] . Formato de módulo CompactPCI 6U. El módulo contiene 8 GB de RAM.
Junto con el procesador, se utiliza un chip KPI (controlador de interfaz periférica), cuyas pruebas se completaron simultáneamente con las pruebas del procesador [4] .
Los procesadores y un módulo basado en ellos se presentaron en octubre de 2010 en las exposiciones ChipEXPO-2010 y Softool [5] .
Se planeó completar el desarrollo del microprocesador Elbrus-S utilizando la tecnología de proceso de 90 nm en 2009 [6] .
En diciembre de 2010, MCST completó la aceptación estatal de I + D en términos del chip procesador Elbrus-S [7] [5] .
Proceso tecnológico | CMOS 0,09 micras |
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Frecuencia de reloj de funcionamiento | 500 MHz |
Máximo rendimiento |
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Profundidad de bits de datos |
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memoria caché |
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Tabla de caché de página |
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Banda ancha |
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Área de cristal | 142 mm² |
Número de transistores | 218 millones |
Número de capas de metal | 9 |
Tipo de paquete / número de pines | HFCBGA/1156 |
Dimensiones de la caja | 35×35×3,2 mm |
Tensión de alimentación | 1,1/1,8/2,5 V |
Disipación de potencia | 13 W típico, 20 W máximo |
microprocesadores rusos | |
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