Puerta inversa : en electrónica y física de semiconductores, un sustrato fuertemente dopado , que es un buen conductor y se utiliza como parte de un transistor de efecto de campo u otra heteroestructura .
Al igual que una puerta convencional, se utiliza para controlar la concentración de portadores en estructuras de semiconductores con un gas de electrones bidimensional o un gas hueco bidimensional.
Se utiliza en los casos en que es difícil realizar una persiana convencional . Si el sustrato es lo suficientemente delgado y el campo no está apantallado en un material no conductor, entonces el campo penetra en el gas de electrones. En este caso, puede prescindir del dopaje y usar una placa de metal, que también se llamará puerta trasera. De hecho, si el campo no está apantallado, entonces la concentración del gas de electrones huecos (que puede considerarse la segunda placa del capacitor) depende solo de la capacitancia del sistema.
En los transistores MIS, el cuarto electrodo se denomina "sustrato". Es necesario distinguir entre los transistores MOS discretos, en los que el electrodo de sustrato (en este caso se denomina "a granel") funciona a la par de otros electrodos (es decir, está rígidamente individualizado), y los circuitos integrados basados en transistores MIS. en el que el electrodo de sustrato ("sustrato") es común a todos los transistores MIS del mismo tipo. Es cierto que, en el caso de la tecnología de silicio sobre zafiro, los electrodos de sustrato también están individualizados para cada transistor MIS integrado.
El efecto del electrodo de sustrato sobre las características I-V de los transistores MIS se estudió ampliamente a fines de la década de 1970.