| seleniuro de cobre, indio y galio | |
|---|---|
| Celda unitaria de cristales tipo calcopirita cobre Ga o en Se | |
| General | |
| nombres tradicionales | seleniuro de cobre-indio-galio |
| química fórmula | Cu In x Ga 1 – x Se 2 |
| Propiedades físicas | |
| Masa molar |
variable, depende de x g/ mol |
| Densidad | ~ 5,7 g/cm³ |
| Propiedades termales | |
| La temperatura | |
| • fusión | de 1070 (x=0) a 990 (x=1) |
| Estructura | |
| Geometría de coordinación | inversión-planar |
| Estructura cristalina |
tetragonal tipo calcopirita |
| Clasificación | |
| registro número CAS |
12018-95-0 (x=1), 12018-84-7 (x=0) |
| Los datos se basan en condiciones estándar (25 °C, 100 kPa) a menos que se indique lo contrario. | |
El seleniuro de cobre-indio-galio (también CIGS - English Copper indium gallium seleniuro ) es un compuesto semiconductor de cobre, indio, galio y selenio. Es una solución sólida de seleniuro de cobre-indio (CIS) y seleniuro de cobre-galio, cuya composición se expresa mediante la fórmula Cu In x Ga 1−x Se 2 . Cristaliza en una estructura tipo calcopirita. La brecha de banda varía de 1,7 eV en x=0 a 1,0 eV en x=1 [1] .
Conocido por su uso en células solares de segunda generación [2] . La ventaja de los paneles de película delgada basados en CIGS es su flexibilidad.