Óxido de galio (III)
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|---|---|
| General | |
Nombre sistemático |
óxido de galio |
| química fórmula | Ga2O3 _ _ _ |
| Propiedades físicas | |
| Estado | cristales blancos |
| Masa molar | 187,44 g/ mol |
| Densidad | α-6,48; β-5,88 g/cm³ |
| Propiedades termales | |
| La temperatura | |
| • fusión | 1725; 1740°C |
| mol. capacidad calorífica | 92,18 J/(mol·K) |
| entalpía | |
| • educación | -1090 kJ/mol |
| Clasificación | |
| registro número CAS | 12024-21-4 |
| PubChem | 5139834 |
| registro Número EINECS | 234-691-7 |
| SONRISAS | O=[Ga]O[Ga]=O |
| InChI | InChI=1S/2Ga.3OQZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N |
| RTECS | LW9650000 |
| ChemSpider | 4313617 |
| Los datos se basan en condiciones estándar (25 °C, 100 kPa) a menos que se indique lo contrario. | |
El óxido de galio es un óxido anfótero, un compuesto inorgánico binario de galio metálico y oxígeno de fórmula Ga 2 O 3 , cristales blancos, semiconductor .
Conseguir
- Directamente de elementos:
- Descomposición térmica del hidróxido de galio :
- Oxidación de sulfuro de galio :
Propiedades físicas
Óxido de galio - polvo blanco o amarillo, existe en dos modificaciones:
- α-Ga 2 O 3 forma cristales trigonales , grupo espacial R 3 c , parámetros de celda a = 0.4972 nm, c = 1.3402 nm, Z = 6.
- β-Ga 2 O 3 - cristales del sistema monoclínico , grupo espacial C 2 / m , parámetros de celda a = 12.214 A, b = 3.0371 A, c = 5.7981 A, β = 103.83, Z = 4.
La forma β es la más estable.
Propiedades químicas
- Reacciona con ácidos concentrados:
- y álcalis:
![{\mathsf {Ga_{2}O_{3}+2NaOH+3H_{2}O\ {\xrightarrow {}}\ 2Na[Ga(OH)_{4}]}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/80b88c31b6d5faf01083a91b5452340a89bab807)
- Reducido con hidrógeno a metal:
- Reacciona cuando se fusiona con cloruro de amonio :
- Cuando se calcina en una corriente de amoníaco, forma nitruro de galio :
- Cuando se fusiona con galio, forma óxido de galio (I) :
Aplicación
Para la obtención de granate de galio- gadolinio y otros compuestos de galio.
En la industria de los semiconductores ( dispositivos de electrónica de potencia ). [1] [2]
Notas
- ↑ Se creó un transistor con un voltaje de ruptura superior a 8 kilovoltios a partir de óxido de galio y epoxi // 3DNews Daily Digital Digest , 3/06/2020
- ↑ Los semiconductores de nueva generación aumentarán la autonomía de los vehículos eléctricos en un 10% // 3DNews Daily Digital Digest , 24/08/2022
Literatura
- Enciclopedia Química / Ed.: Knunyants I.L. y otros.- M .: Enciclopedia soviética, 1988.- T. 1.- 623 p.
- Lidin R.A. y otras Propiedades químicas de sustancias inorgánicas: Proc. asignación para universidades. - 3ra ed., rev. - M. : Química, 2000. - 480 p. — ISBN 5-7245-1163-0 .
- Manual de un químico / Consejo editorial: Nikolsky B.P. y otros.- 2ª ed., corregida. - M. - L .: Química, 1966. - T. 1. - 1072 p.
- Manual de un químico / Consejo editorial: Nikolsky B.P. y otros.- 3ª ed., corregida. - L. : Química, 1971. - T. 2. - 1168 p.